网络测试仪的频率响应
而且还去掉了输入变压器网络测试仪。具有频响宽、失真小、输出功率大，OTL无输出变压器推挽功率放大器的意思。实际OTL电路不仅不使用输出变压器。有利小型化，集成化的优点噪音计，声频放大等方面应用日益广泛。
IGBT正向导通时漂移区非平衡载流子浓度分布控制以及关断时快速抽取的所谓“集电极工程”表面电子浓度增强的栅工程”IGBT芯片内含续流二极管功能的逆导型IGBT以及短路安全工作区和压接式封装等方面不断取得进展，随着研发人员对IGBT器件物理的深入理解和微电子工艺的进步。各大公司不时宣布自己研制生产的IGBT进入了第X代。总体而言，可以把IGBT演变归纳为以下六代。GaN材料具有3倍硅的禁带宽度、10倍硅的临界击穿电场和2.5倍硅的饱和漂移速度，特别是基于GaNAlGaN/GaN结构具有更高的电子迁移率，使得GaN器件具有低导通电阻、高工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。近年来，随着GaN材料在光电器件领域的广泛应用，加速了GaN材料的发展，特别是大直径硅衬底GaN外延生长技术的进步以及逐步商业化网络测试仪，使得GaN具有更低廉的成本价格，有力地促进了GaN功率半导体器件的发展。
基于GaN功率开关器件主要包括AlGaN/GaNHEMTHFETGaN基MOSFET和MIS-HEMT等结构。其中，目前。AlGaN/GaNHEMT具有工艺简单、技术成熟、优良的正向导通特性和高的工作频率等优点，成为GaN功率开关器件中最受关注的结构。近几年随着移动通信、数字消费电子和计算机等产品制造业的强劲增长，以电压调整器为代表的电源管理集成电路得到迅速发展。有人认为功率集成电路重在高低压兼容的功率集成（PowerIntegr而电源管理集成电路重在功率管理（PowerManag故应独立于功率集成电路之外。笔者认为功率集成电路即是进行功率处理的集成电路，电源管理集成电路应置于功率集成电路的范围之内。
SOI技术已成为先进硅集成技术的主流技术之一。由于SOI具有易于隔离的特性，SOI集成电路具有高速、高集成度、低功耗和抗辐照等优点。使其在功率半导体技术中也有着广泛的应用前景。日本东芝已利用SOI技术研制成功500V/1A 三相DC无刷马达驱动电路并实现量产，SOI高压集成电路已广泛用于等离子体显示平板（PDP驱动电路和高性能IGBT大功率模块的栅驱动中。但我必须欣喜地看到市场需求的牵引下，国家政府项目，特别是国家“02科技重大专项支持引导下风速仪，国功率半导体产业展现出蓬勃发展的局面：国内众多6寸线、8寸线开始涉足功率半导体器件生产；深圳华为、株洲南车、北车永济、广东美的国家电网等国内骨干整机（系统）企业开始研发或投资建设以IGBT为代表的先进功率半导体器件；一大批功率半导体领域海外留学人员回国创业。
功率半导体是最适合中国发展的半导体产业，笔者认为。相对于超大规模集成电路而言，其资金投入较低、产品周期较长、市场关联度更高、且还没有形成如英特尔和三星那样的垄断企业（全球规模化功率半导体企业超过100家，前10大功率半导体企业销售额只占全球份额的50%但中国功率半导体的发展必须改变目前封装强于芯片、芯片强于设计的局面网络测试仪，应加强与整机企业的联动，大力发展设计技术，以市场带动设计、以设计促进芯片、以芯片壮大产业。落后于国际先进水平的状况下，IDM企业不能局限于自身产品线的生产能力，应充分依托国内功率半导体器件庞大的市场空间，用技术去开拓市场，逐渐从替代产品向产品创新、牵引整机发展转变；大力发展设计能力，一方面依靠自身工艺线进行生产，加强技术改造和具有自身工艺特色的产品创新，另一方面借用先进代工线的生产能力，壮大自身产品线，加速企业发展；同时择机从芯片向器件，从芯片向模块，从模块向组件、整机发展。
特别是功率半导体模块企业分析，有着系统整机应用的IDM企业具有得天独厚的发展机会，因此我期望更多的系统整机企业向株洲南车那样，面向国际竞争，完善核心技术产业链，进而推动中国功率半导体产业发展。LDO线性稳压器的结构框图，由下面几个部分组成：基准电压源（Vref误差放大器、同相放大器、反馈电阻网络、调整管等。其中基准电压源输出参考电压Vref,从国际知名功率半导体企业。要求它精度高，温漂小。误差放大器将输出反馈回来的电压与基准电压Vref进行比较，并放大其差值，其经过同相放大器来控制调整功率管的状态，因而使输出稳定。这里C1前馈电容，可以提高负载调整率网络测试仪，并增加了一个左零点补偿，Cff提供一个零点补偿。第一级放大器就是一个差分对，和大多数误差放大器结构一样，第二级为同相放大级，靠电阻的电流关系提供一个小增益级，并控制带宽。相对于普通结构而言的如果靠运放直接驱动功率管，那带宽就被功率管的寄生电容和运放输出阻抗和增益决定了而这个结构的增益和输出阻抗，相比运放小很多，带宽自然就提高很多。表1为该LDO主要设计参数和性能指标。需要指出，电路工作在乙类状态时，两管基极都未设偏置。由于晶休管输入特性曲线上存在一段“死区”信号正负半周交接的零值附近，出现没有放大输出的情况，反映到负载上就会出现波形的两半周交界处有不衔接的现象。这种现象叫“交越失真”参看图4一70推挽放大器如果采用甲乙类放大方式，就可以大大减小交越失真。所以一般的实用电路，静态时都要给晶休管加上一定的正向偏压。保证晶休管在信号电压较低时绝缘电阻测试仪，仍处于良好导通状态。
Rb1Rb2Re共同组成分压式电流负反馈偏置电路网络测试仪，图4一71甲乙类推挽功率放大器电路图。电路中。同时供给两管正向偏压。变压器耦合方式虽然有根多优点，但变压器体积大而且笨重，功率损耗大。此外，变压器是个电磁元件，通过变压器的信号频率不同，线圈所呈现的阻抗也不同。为了提高低频响应，电磁要很大，线圈圈数就要很多才行。这势必增大了匝间、岐间分布电容造成高频的损失，影响整个放大器的频率响应。还有，从变压器输出端引人深度负反馈也容易自激网络测试仪，影响非线性失真的改善。为克服上述缺点，可采用下面介绍的无变压器功率放大器。 |
您的位置：